Samsung Electronics Atmiņas nodaļas prezidents Soo-In Čo sacīja: “Tikai vienu gadu pēc tam, kad ieviesām 30nm kategorijas NAND izstrādājumus, Samsung ir padarījis pieejamu jau nākamās paaudzes 20nm kategorijas NAND atmiņas risinājumu, kas pārspēj patērētāju prasības pēc augstas veiktspējas un augstas ietilpības NAND risinājumiem. Jaunais 20nm kategorijas NAND modulis ir ne tikai nozīmīgs solis uz priekšu datu apstrādes arhitektūrā, – tajā iekļautas modernākās tehnoloģijas, lai rastu iespējas ievērojamām veiktspējas inovācijām.”
Samsung 20nm kategorijas MLC NAND atmiņas modulim piemīt par 50 procentiem augstāks produktivitātes līmenis nekā 30nm kategorijas MLC NAND izstrādājumam. Ierakstīšanas ātrums 20nm kategorijas astoņu vai vairāk gigabaitu (GB) ietilpības SD atmiņas kartei ir par 30 procentiem augstāks nekā 30nm kategorijas NAND atmiņas modulim, līdz ar to nodrošinot 10. ātruma kategorijas reitingu (nolasīšanas ātrums 20MB/sek, ierakstīšanas ātrums – 10MB/sek). Pielietojot revolucionāras apstrādes, arhitektūras un kontrolieru tehnoloģijas, Samsung ir spējis nodrošināt arī darbības stabilitātes līmeni, kas pielīdzināms 30nm kategorijas NAND izstrādājumiem.
Samsung Electronics pirmo 32Gb NAND izstrādājumu ražošanu ar 30nm kategorijas apstrādes tehnoloģijām sāka 2009. gada martā. Tagad kompānija jau piedāvā patērētājiem SD atmiņas karšu paraugus, kas ir veidoti ar 20nm kategorijas 32Gb NAND tehnoloģijām, paredzot produkcijas masveida ražošanas uzsākšanu mazliet vēlāk šajā gadā.
Atmiņas kartes, kas balstītas uz 20nm kategorijas tehnoloģijām, būs pieejamas no 4GB līdz pat 64GB ietilpībai.
Samsung savlaicīgais augstas veiktspējas NAND izstrādājumu jaunievedums palīdzēs labāk atbalstīt pastāvīgi augošās atmiņas prasības augstas ietilpības viedtelefoniem, hi-end IT risinājumiem un augstas veiktspējas atmiņas kartēm.
